Strony związane z hasłem 'soft-start':

  • Napędy elektryczne »

    Ze względu na to, że półprzewodnikowa dioda w odniesieniu do dołączonych napięć działa jak wentyl elektryczny, przy dołączaniu zmiennego napięcia będzie ona działała jak prostownik, dlatego też na rezystorze obciążenia ( odbiorniku) uzyskamy napięcie wyprostowane (rys. 1-3). W półokresie dodatnim uzyskuje się stosunkowo duży prąd o wartości, którą można zaniedbać. Jedyna różnica w pracy półprzewodnikowej diody i lampy elektronowej polega na tym, że w tej ostatniej prąd zaporowy w ogóle nie występuje. Tyle na razie o półprzewodnikowych diodach i o zjawiskach, które zachodzą wewnątrz półprzewodnika. Zapoznaliśmy się przy tej okazji z pewnymi terminami stosowanymi w technice półprzewodnikowej i wszystko to wykorzystamy teraz do badania sposobu pracy tranzystora. Wszystkie te elementy zaliczamy do wielkiej rodziny elementów półprzewodnikowych, a oddają one wielkie usługi w różnych dziedzinach. Dzisiejsze osiągnięcia ogólnoświatowej techniki, zwłaszcza techniki obliczeniowej, nie byłyby do pomyślenia bez elementów półprzewodnikowych, których miniaturyzacja (układy scalone) umożliwiła produkcję małych i lekkich urządzeń przenośnych, takich jak np. minikalkulatory.

    Data dodania: 26 12 2014 · szczegóły wpisu »
  • Przemienniki porównaj modele »

    Ze względu na obciążalność tranzystory dzielimy na napięciowe, tj. przeznaczone do stosowania we wzmacniaczach napięciowych i na tranzystory mocy przeznaczone do wzmacniania mocy. Tak jedne, jak i drugie mogą być przy tym tranzystorami wielkiej, względnie małej częstotliwości- Osobną grupę stanowią tranzystory przeznaczone do pracy w układach impulsowych. W układach przerzutnikowych stosowane są często tzw. tranzystory jedno złączowe, tj. UJ-tranzystory (Unijunction transistors). Coraz powszechniejsze zastosowanie mają tranzystory polowe, zwane krótko FET lub ściślej JFET {Junction Field Effect Tran-sistor — złączowy tranzystor z efektem polowym) w odróżnieniu od stosowanych ostatnio coraz częściej tranzystorów MOSFET (znanych również jako IGFET, MOST lub IGT). Charakterystyczną cechą tych tranzystorów jest izolowana elektroda sterująca, tj. bramka (gate), dzięki czemu odznaczają się one bardzo dużą rezystancją wejściową, rzędu 1014 Q. Tranzystory te odznaczają się przy tym małą zależnością parametrów od temperatury. Tranzystory FET i MOSFET zastąpiły lampy elektronowe w układach o dużej rezystancji wejściowej i wyjściowej.

    Data dodania: 26 12 2014 · szczegóły wpisu »